Neste livro, as t�cnicas de engenharia de canal e engenharia de porta s�o combinadas para formar novas estruturas de dispositivos propostas como MOSFETs de porta de material duplo de halo �nico (SHDMG) e de porta de material duplo de halo duplo (DHDMG). Os MOSFET avan�ados s�o dopados de forma n�o uniforme em resultado de um fluxo de processo complexo. Por conseguinte, um dos factores-chave para modelar com precis�o os par�metros caracter�sticos � modelar o seu perfil de dopagem n�o uniforme. O livro ...
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Neste livro, as t�cnicas de engenharia de canal e engenharia de porta s�o combinadas para formar novas estruturas de dispositivos propostas como MOSFETs de porta de material duplo de halo �nico (SHDMG) e de porta de material duplo de halo duplo (DHDMG). Os MOSFET avan�ados s�o dopados de forma n�o uniforme em resultado de um fluxo de processo complexo. Por conseguinte, um dos factores-chave para modelar com precis�o os par�metros caracter�sticos � modelar o seu perfil de dopagem n�o uniforme. O livro apresenta tamb�m um modelo anal�tico do potencial de superf�cie sublimiar, da tens�o limiar, da corrente de drenagem baseada na teoria da deriva-difus�o e da transcondut�ncia para SHDMG e DHDMG n-MOSFETs lineares e de perfil gaussiano que funcionam at� ao regime de 40 nm. � tamb�m proposto um modelo anal�tico de corrente de drenagem sub-limiar baseado no potencial quasi-Fermi para trans�stores SHDMG e DHDMG MOS lineares e de perfil gaussiano, incorporando os campos de franja nas duas extremidades do dispositivo.
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