In diesem Buch werden Kanal- und Gate-Techniken kombiniert, um neuartige Bauelementestrukturen zu bilden, die als Single-halo Dual Material Gate (SHDMG) und Double-halo Dual Material Gate (DHDMG) MOSFETs vorgeschlagen werden. Moderne MOSFETs sind aufgrund des komplexen Prozessablaufs ungleichm??????ig dotiert. Daher ist einer der Schl???sselfaktoren f???r die genaue Modellierung der charakteristischen Parameter die Modellierung des ungleichm??????igen Dotierungsprofils. In diesem Buch wird auch ein analytisches Modell f???r ...
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In diesem Buch werden Kanal- und Gate-Techniken kombiniert, um neuartige Bauelementestrukturen zu bilden, die als Single-halo Dual Material Gate (SHDMG) und Double-halo Dual Material Gate (DHDMG) MOSFETs vorgeschlagen werden. Moderne MOSFETs sind aufgrund des komplexen Prozessablaufs ungleichm??????ig dotiert. Daher ist einer der Schl???sselfaktoren f???r die genaue Modellierung der charakteristischen Parameter die Modellierung des ungleichm??????igen Dotierungsprofils. In diesem Buch wird auch ein analytisches Modell f???r das Oberfl???chenpotential unterhalb der Schwelle, die Schwellenspannung, den Drainstrom und die Transkonduktanz auf der Grundlage der Drift-Diffusionstheorie f???r lineare und auf einem Gau???schen Profil basierende SHDMG- und DHDMG-n-MOSFETs vorgestellt, die bis zu 40 nm arbeiten. Ein auf Quasi-Fermi-Potential basierendes analytisches Modell des Drain-Stroms unterhalb der Schwelle f???r lineare und auf Gau???-Profil basierende SHDMG- und DHDMG-MOS-Transistoren, das auch die Streufelder an den beiden Enden des Bauelements ber???cksichtigt, wird ebenfalls vorgeschlagen.
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