Neste livro, as t???cnicas de engenharia de canal e engenharia de porta s???o combinadas para formar novas estruturas de dispositivos propostas como MOSFETs de porta de material duplo de halo ???nico (SHDMG) e de porta de material duplo de halo duplo (DHDMG). Os MOSFET avan???ados s???o dopados de forma n???o uniforme em resultado de um fluxo de processo complexo. Por conseguinte, um dos factores-chave para modelar com precis???o os par???metros caracter???sticos ??? modelar o seu perfil de dopagem n???o uniforme. O livro ...
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Neste livro, as t???cnicas de engenharia de canal e engenharia de porta s???o combinadas para formar novas estruturas de dispositivos propostas como MOSFETs de porta de material duplo de halo ???nico (SHDMG) e de porta de material duplo de halo duplo (DHDMG). Os MOSFET avan???ados s???o dopados de forma n???o uniforme em resultado de um fluxo de processo complexo. Por conseguinte, um dos factores-chave para modelar com precis???o os par???metros caracter???sticos ??? modelar o seu perfil de dopagem n???o uniforme. O livro apresenta tamb???m um modelo anal???tico do potencial de superf???cie sublimiar, da tens???o limiar, da corrente de drenagem baseada na teoria da deriva-difus???o e da transcondut???ncia para SHDMG e DHDMG n-MOSFETs lineares e de perfil gaussiano que funcionam at??? ao regime de 40 nm. ??? tamb???m proposto um modelo anal???tico de corrente de drenagem sub-limiar baseado no potencial quasi-Fermi para trans???stores SHDMG e DHDMG MOS lineares e de perfil gaussiano, incorporando os campos de franja nas duas extremidades do dispositivo.
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