Dans ce livre, l'accent a ???t??? mis sur la mod???lisation et l'influence des couches de d???pl???tion autour des r???gions de source et de drain sur les caract???ristiques de sous-seuil d'un transistor MOS ??? canal court avec un canal uniform???ment dop???. Un mod???le analytique pour le potentiel de surface sous le seuil dans un transistor MOS ??? canal court a ???t??? d???velopp??? en r???solvant l'???quation de Poisson pseduo-2D, formul???e en appliquant la loi de Gauss ??? une bo???te rectangulaire dans le canal ...
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Dans ce livre, l'accent a ???t??? mis sur la mod???lisation et l'influence des couches de d???pl???tion autour des r???gions de source et de drain sur les caract???ristiques de sous-seuil d'un transistor MOS ??? canal court avec un canal uniform???ment dop???. Un mod???le analytique pour le potentiel de surface sous le seuil dans un transistor MOS ??? canal court a ???t??? d???velopp??? en r???solvant l'???quation de Poisson pseduo-2D, formul???e en appliquant la loi de Gauss ??? une bo???te rectangulaire dans le canal couvrant toute la profondeur de la couche d'appauvrissement. Le mod???le a permis de pr???dire une influence accrue des r???gions de d???pl???tion de la jonction pour une longueur de canal plus petite et/ou des tensions de polarisation drain/source plus ???lev???es, en raison d'un partage accru des charges. Le m???me mod???le est appliqu??? pour d???terminer le potentiel de surface sous le seuil pour les MOSFET ??? double halo. La r???duction des dimensions du dispositif entra???ne une diminution de l'???paisseur de l'oxyde de grille. Il en r???sulte un effet ind???sirable d'???lectrons chauds et une augmentation du courant de tunnel de la grille. Afin de rem???dier ??? cet inconv???nient, des mat???riaux High-K sont utilis???s ??? la place du dioxyde de silicium comme mat???riau isolant sous la grille. Cette mod???lisation s'av???rera b???n???fique et contribuera ??? d'autres travaux de recherche ??? l'avenir.
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