Neste livro, o foco principal foi a modelagem e a influ???ncia das camadas de deple??????o em torno das regi???es de fonte e dreno nas caracter???sticas sublimiares de um transistor MOS de canal curto com canal uniformemente dopado. Foi desenvolvido um modelo anal???tico para o potencial de superf???cie sublimiar num trans???stor MOS de canal curto, resolvendo a equa??????o de Poisson pseduo-2D, formulada atrav???s da aplica??????o da lei de Gauss a uma caixa retangular no canal que cobre toda a profundidade da camada de ...
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Neste livro, o foco principal foi a modelagem e a influ???ncia das camadas de deple??????o em torno das regi???es de fonte e dreno nas caracter???sticas sublimiares de um transistor MOS de canal curto com canal uniformemente dopado. Foi desenvolvido um modelo anal???tico para o potencial de superf???cie sublimiar num trans???stor MOS de canal curto, resolvendo a equa??????o de Poisson pseduo-2D, formulada atrav???s da aplica??????o da lei de Gauss a uma caixa retangular no canal que cobre toda a profundidade da camada de deple??????o. O modelo foi capaz de prever uma maior influ???ncia das regi???es de deple??????o da jun??????o para um comprimento de canal menor e/ou tens???es de polariza??????o dreno/fonte mais elevadas devido a uma maior partilha de carga. O mesmo modelo ??? aplicado para encontrar o potencial de superf???cie sublimiar para MOSFETs de duplo halo. A diminui??????o da dimens???o do dispositivo leva ??? redu??????o da espessura do ???xido de porta. Como resultado, o efeito indesej???vel de electr???es quentes e a corrente de tunelamento da porta aumentam. Para ultrapassar este inconveniente, s???o utilizados materiais high-k em vez de di???xido de sil???cio como material isolante por baixo da porta. Esta modela??????o revelar-se-??? ben???fica e contribuir??? para futuros trabalhos de investiga??????o.
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