Dans ce livre, les techniques d'ing???nierie de canal et d'ing???nierie de grille sont combin???es pour former de nouvelles structures de dispositifs propos???es en tant que MOSFETs ??? grille simple-halo ??? double mat???riau (SHDMG) et ??? grille double-halo ??? double mat???riau (DHDMG). Les MOSFETs avanc???s sont dop???s de mani???re non uniforme en raison d'un processus complexe. Par cons???quent, l'un des facteurs cl???s pour mod???liser les param???tres caract???ristiques avec pr???cision est de mod???liser son ...
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Dans ce livre, les techniques d'ing???nierie de canal et d'ing???nierie de grille sont combin???es pour former de nouvelles structures de dispositifs propos???es en tant que MOSFETs ??? grille simple-halo ??? double mat???riau (SHDMG) et ??? grille double-halo ??? double mat???riau (DHDMG). Les MOSFETs avanc???s sont dop???s de mani???re non uniforme en raison d'un processus complexe. Par cons???quent, l'un des facteurs cl???s pour mod???liser les param???tres caract???ristiques avec pr???cision est de mod???liser son profil de dopage non uniforme. Le livre pr???sente ???galement un potentiel de surface sous seuil analytique, une tension de seuil, un courant de drain bas??? sur la th???orie de la d???rive-diffusion et un mod???le de transconductance pour les n-MOSFETs SHDMG et DHDMG lin???aires et ??? profil gaussien fonctionnant jusqu'au r???gime de 40nm. Un mod???le analytique de courant de drain sous seuil bas??? sur le potentiel quasi-Fermi pour les transistors MOS SHDMG et DHDMG lin???aires et ??? profil gaussien, incorporant les champs frangeants aux deux extr???mit???s du dispositif, est ???galement propos???.
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Add this copy of Modélisation des paramètres de base des MOSFET non to cart. $40.37, new condition, Sold by Ingram Customer Returns Center rated 5.0 out of 5 stars, ships from NV, USA, published 2023 by Editions Notre Savoir.