Thema dieses Buches sind elektrostatische Entladungseffekte (ESD) in integrierten Siliciumschaltkreisen, die sich zu einem wesentlichen Problem der modernen hochintegrierten Schaltungen mit Strukturbreiten in Sub-Mikrometer-Dimensionen entwickelt haben. Diese 2. Auflage des klassischen Handbuchs liefert einen kompletten �berblick �ber alle Aspekte des ESD und die unmittelbaren Folgerungen f�r Entwurf und Entwicklung neuer Schaltkreise und Technologien. Die H�lfte des Materials wurde neu aufgenommen. das Autorenteam ...
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Thema dieses Buches sind elektrostatische Entladungseffekte (ESD) in integrierten Siliciumschaltkreisen, die sich zu einem wesentlichen Problem der modernen hochintegrierten Schaltungen mit Strukturbreiten in Sub-Mikrometer-Dimensionen entwickelt haben. Diese 2. Auflage des klassischen Handbuchs liefert einen kompletten �berblick �ber alle Aspekte des ESD und die unmittelbaren Folgerungen f�r Entwurf und Entwicklung neuer Schaltkreise und Technologien. Die H�lfte des Materials wurde neu aufgenommen. das Autorenteam wurde um drei international anerkannte Experten erweitert.
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