O empilhamento face a face em Wafer to Wafer (WoW) pode ser feito para as interliga��es de liga��o directa Cu-Cu. Uma boa resist�ncia mec�nica para sustentar a for�a de corte durante o desbaste pode ser conseguida atrav�s da colagem de Cu. Ao mesmo tempo que fazer estruturas de interliga��o fi�veis tem sido um desafio persistente. A tens�o resulta da deposi��o de material, da desadequa��o da expans�o t�rmica e da electromigra��o. A deposi��o de material gera inevitavelmente tensï¿ ...
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O empilhamento face a face em Wafer to Wafer (WoW) pode ser feito para as interliga��es de liga��o directa Cu-Cu. Uma boa resist�ncia mec�nica para sustentar a for�a de corte durante o desbaste pode ser conseguida atrav�s da colagem de Cu. Ao mesmo tempo que fazer estruturas de interliga��o fi�veis tem sido um desafio persistente. A tens�o resulta da deposi��o de material, da desadequa��o da expans�o t�rmica e da electromigra��o. A deposi��o de material gera inevitavelmente tens�o. Materiais em estruturas de interliga��o, seleccionados para funcionar como condutores, diel�ctricos, ou barreiras, t�m coeficientes de expans�o t�rmica diferentes. A for�a motriz vem do stress acumulado devido ao crescimento do gr�o e ao desfasamento da expans�o t�rmica (CTE) entre Cu interconectados e diel�ctricos. O espa�o vazio � ent�o criado a fim de libertar a tens�o resultante. Tamb�m o fen�meno de electromigra��o causado pelo stress actual e cria um espa�o vazio. Assim, neste projecto, trabalhei no Voiding Induzido de Stress e Electromigra��o da amostra de liga��o directa Cu-Cu com temperatura de liga��o de 300C.
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