Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers
Da auf der Basis von Silizium nur aufw�ndig konstruierte, teurere hybride Operationsverst�rker mit gleichzeitig gutem Hochfrequenzverhalten und hoher Ausgangsspannung und hohem Ausgangsstrom verf�gbar sind, wurde in dieser Studie eine Schaltung entworfen, mit der sich relativ einfach und kosteng�nstig entweder rein mit Silizium-basierten Bauteilen oder auch unter Verwendung von Galliumnitrid-Bauteilen in der Endstufe Hochvolt-Operationsverst�rker realisieren lassen. Die Eignung von Galliumnitrid-basierten ...
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Da auf der Basis von Silizium nur aufw�ndig konstruierte, teurere hybride Operationsverst�rker mit gleichzeitig gutem Hochfrequenzverhalten und hoher Ausgangsspannung und hohem Ausgangsstrom verf�gbar sind, wurde in dieser Studie eine Schaltung entworfen, mit der sich relativ einfach und kosteng�nstig entweder rein mit Silizium-basierten Bauteilen oder auch unter Verwendung von Galliumnitrid-Bauteilen in der Endstufe Hochvolt-Operationsverst�rker realisieren lassen. Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren f�r den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverst�rkers konnte sowohl in Simulationen als auch anhand der Charakterisierung der konzipierten Schaltung nach deren Aufbau auf einer Leiterplatte nachgewiesen werden. Die Messergebnisse best�tigten, die durch die Simulationen vorhergesagten Werte f�r die Verst�rkung, w�hrend die gemessenen Verst�rkungsbandbreiten erwartungsgem�� aufgrund von parasit�ren Kapazit�ten hinter den Werten aus den Simulationen zur�ckblieben. Mit dem im Rahmen dieser Studie erstellten Schaltungskonzept wurde eine experimentell verifizierte Grundlage f�r weitere Arbeiten zum Aufbau eines vollst�ndig Galliumnitrid-basierten Operationsverst�rkers geschaffen.
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