Inhaltsangabe: Einleitung: Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto- und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verst�ndnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgef�hrt. Die Diffusionsgl�hungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001)- und GaSb(001)-Wafern in Quarzglasampullen unter verschiedenen Diffusionsbedingungen durchgef�hrt. Die ...
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Inhaltsangabe: Einleitung: Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto- und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verst�ndnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgef�hrt. Die Diffusionsgl�hungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001)- und GaSb(001)-Wafern in Quarzglasampullen unter verschiedenen Diffusionsbedingungen durchgef�hrt. Die Konzentrationsprofile wurden mittels Sekund�rionenmassenspektroskopie und Elektronenmikrostrahlsonde bestimmt. Die durch die Zn-Diffusion entstehende Defektstruktur wurde mittels analytischer Transmissionselektronenmikroskopie an Querschnittsproben charakterisiert und die Oberfl�chen der Wafer mittels Rasterelektronenmikroskopie untersucht. Bei der Eindiffusion von Zn aus der Dampfphase kommt es zur Bildung stufenf�rmiger Konzentrationsprofile, welche durch eine hohe Zn-Oberfl�chenkonzentration und einen steilen Abfall des Zn-Gehalts an der Diffusionsfront gekennzeichnet sind. In n-dotierten Substraten k�nnen damit abrupte p-n-�berg�nge durch Zn-Diffusion erzeugt werden. Die bei der Zn-Diffusion entstehenden Gitterbaufehler spielen hinsichtlich der industriellen Anwendung der Materialien insofern eine Rolle, als sie zu St�rungen im periodischen Gitterpotential und lokalisierten Energieniveaus f�hren. Die Beweglichkeit der freien Ladungstr�ger wird damit sehr stark durch die strukturelle Fehlordnung beeinflu�t, welches sich insbesondere auf die Funktiont�chtigkeit von p-n-�berg�ngen in elektronischen Bauelementen auswirkt. In GaP-Leuchtdioden f�hrt die strukturelle Fehlordnung z.B. zu starker Reduzierung der Lumineszenz. Inhaltsverzeichnis: Inhaltsverzeichnis: 1.Einleitung3 2.Grundlagen der Diffusionstheorie6 2.1Mikroskopische Beschreibung6 2.2Makroskopische Beschreibung7 2.2.1Herleitung der Diffusionsgleichung7 2.2.2Dissoziativer Mechanismus8 2.2.3Kick-Out-
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