Inhaltsangabe: Einleitung: Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto- und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verst???ndnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgef???hrt. Die Diffusionsgl???hungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001)- und GaSb(001)-Wafern in Quarzglasampullen unter verschiedenen Diffusionsbedingungen durchgef???hrt. Die ...
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Inhaltsangabe: Einleitung: Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto- und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verst???ndnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgef???hrt. Die Diffusionsgl???hungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001)- und GaSb(001)-Wafern in Quarzglasampullen unter verschiedenen Diffusionsbedingungen durchgef???hrt. Die Konzentrationsprofile wurden mittels Sekund???rionenmassenspektroskopie und Elektronenmikrostrahlsonde bestimmt. Die durch die Zn-Diffusion entstehende Defektstruktur wurde mittels analytischer Transmissionselektronenmikroskopie an Querschnittsproben charakterisiert und die Oberfl???chen der Wafer mittels Rasterelektronenmikroskopie untersucht. Bei der Eindiffusion von Zn aus der Dampfphase kommt es zur Bildung stufenf???rmiger Konzentrationsprofile, welche durch eine hohe Zn-Oberfl???chenkonzentration und einen steilen Abfall des Zn-Gehalts an der Diffusionsfront gekennzeichnet sind. In n-dotierten Substraten k???nnen damit abrupte p-n-???berg???nge durch Zn-Diffusion erzeugt werden. Die bei der Zn-Diffusion entstehenden Gitterbaufehler spielen hinsichtlich der industriellen Anwendung der Materialien insofern eine Rolle, als sie zu St???rungen im periodischen Gitterpotential und lokalisierten Energieniveaus f???hren. Die Beweglichkeit der freien Ladungstr???ger wird damit sehr stark durch die strukturelle Fehlordnung beeinflu???t, welches sich insbesondere auf die Funktiont???chtigkeit von p-n-???berg???ngen in elektronischen Bauelementen auswirkt. In GaP-Leuchtdioden f???hrt die strukturelle Fehlordnung z.B. zu starker Reduzierung der Lumineszenz. Inhaltsverzeichnis: Inhaltsverzeichnis: 1.Einleitung3 2.Grundlagen der Diffusionstheorie6 2.1Mikroskopische Beschreibung6 2.2Makroskopische Beschreibung7 2.2.1Herleitung der Diffusionsgleichung7 2.2.2Dissoziativer Mechanismus8 2.2.3Kick-Out-
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