Ce travail de th???se est constitu??? de deux grandes parties. Dans la premi???re partie, nous avons ???tudi??? la redistribution du B dans le Si(001), ??? l'ambiante et apr???s recuit thermique, ??? l'aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette ???tude, le Si a ???t??? fortement dop??? en B. La concentration en B dans le Si peut alors d???passer la limite de solubilit???. On est donc dans le cas d'un syst???me sursatur???. Dans ce cas, nous avons observ??? qu'??? la formation de d???fauts (BIC's, etc ...
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Ce travail de th???se est constitu??? de deux grandes parties. Dans la premi???re partie, nous avons ???tudi??? la redistribution du B dans le Si(001), ??? l'ambiante et apr???s recuit thermique, ??? l'aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette ???tude, le Si a ???t??? fortement dop??? en B. La concentration en B dans le Si peut alors d???passer la limite de solubilit???. On est donc dans le cas d'un syst???me sursatur???. Dans ce cas, nous avons observ??? qu'??? la formation de d???fauts (BIC's, etc...) s'ajoute la germination d'amas riches en B ou m???me la pr???cipitation d'une nouvelle phase apr???s recuit thermique. Dans la deuxi???me partie, nous avons ???tudi??? la redistribution du B et du Pt dans le NiSi, utilis??? lors de la miniaturisation des transistors MOS, afin de r???duire la r???sistance de contact. A part l'accumulation du B ??? l'interface NiSi/Si et ??? la surface de NiSi, nous avons observ???, la pr???cipitation du B dans le monosiliciure de Ni, pour un recuit ??? 450???C. En revanche, pour le Pt nous n'observons plus un ph???nom???ne de pr???cipitation. Il a plut???t tendance de s???gr???ger aux interfaces ??? 290???C (ph???nom???ne de "chasse-neige "), tandis qu'au del??? de 350???C, le Pt s'accumule plutot dans la phase NiSi.
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