El desarrollo tecnol???gico actual permite sintonizar el espectro de absorci???n y luminiscencia de materiales semiconductores sobre un rango muy ancho de energ???a, de alrededor de 1 a 2 eV, por variaci???n del tama???o del microcristal. Esto abre la oportunidad de fabricar l???seres sintonizables y diodos emisores de luz basados en nanocristales. El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los semiconductores m???s usados en la optoelectr???nica y por lo tanto el estudio de los efectos del confinamiento cu???ntico sobre este ...
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El desarrollo tecnol???gico actual permite sintonizar el espectro de absorci???n y luminiscencia de materiales semiconductores sobre un rango muy ancho de energ???a, de alrededor de 1 a 2 eV, por variaci???n del tama???o del microcristal. Esto abre la oportunidad de fabricar l???seres sintonizables y diodos emisores de luz basados en nanocristales. El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los semiconductores m???s usados en la optoelectr???nica y por lo tanto el estudio de los efectos del confinamiento cu???ntico sobre este material es de gran inter???s. En este libro se describe el crecimiento de pel???culas semiconductoras nanocristalinas de GaAs utilizando un sistema de deposici???n por erosi???n cat???dica (rf-sputtering) y se da una explicaci???n al comportamiento del borde de absorci???n ???ptico del material en funci???n del tama???o de grano de los nanocristales. Esta exploraci???n presenta un gran n???mero de posibles variantes experimentales que pueden ser consideradas para continuar desarrollando esta l???nea de investigaci???n.
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