Este livro descreve o conceito de conce??????o de SRAM em tecnologias FinFET utilizando carater???sticas ???nicas de dispositivos n???o planares de dupla porta. Ser??? explorado o espa???o de par???metros necess???rio para a conce??????o de FinFETs. Ser???o apresentadas v???rias t???cnicas de conce??????o de SRAM que exploram as vantagens das configura??????es controladas por porta ligada e porta independente. O desempenho, a pot???ncia e a estabilidade da SRAM para dispositivos FinFET s???o comparados com os dispositivos ...
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Este livro descreve o conceito de conce??????o de SRAM em tecnologias FinFET utilizando carater???sticas ???nicas de dispositivos n???o planares de dupla porta. Ser??? explorado o espa???o de par???metros necess???rio para a conce??????o de FinFETs. Ser???o apresentadas v???rias t???cnicas de conce??????o de SRAM que exploram as vantagens das configura??????es controladas por porta ligada e porta independente. O desempenho, a pot???ncia e a estabilidade da SRAM para dispositivos FinFET s???o comparados com os dispositivos CMOS planares convencionais. Tamb???m ser??? apresentada a modela??????o da variabilidade dos FinFETs atrav???s de estat???sticas. O dispositivo MOSFET foi comparado com o poli-sil???cio e o molibd???nio como material de porta e o dispositivo FinFET foi concebido com diferentes materiais de porta, como o ouro, o tungst???nio, o t???ntalo e o molibd???nio, e os resultados foram comparados com os dispositivos com material de porta de poli-sil???cio.
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