HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herk???mmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit ???berlegen. Sie eignen sich ideal f???r drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenw???rtig intensiv erforscht. Diese Einf???hrung ist so verst???ndlich formuliert, da??? der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik ben???tigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)
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