Cette ???tude rapporte la croissance de films minces de sulfure d'???tain en utilisant une technique de d???p???t par bain chimique ??? faible co???t. Il est donc n???cessaire de contr???ler le d???veloppement des couches minces. Diverses analyses ont ???t??? effectu???es, telles que: XRD, SEM, EDS, AFM, spectrophotom???trie et TSC. Toutes ces analyses nous ont permis d'am???liorer les propri???t???s physiques des films minces de SnS pour les cellules solaires. Dans ce contexte, nous avons ???labor??? des films minces de ...
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Cette ???tude rapporte la croissance de films minces de sulfure d'???tain en utilisant une technique de d???p???t par bain chimique ??? faible co???t. Il est donc n???cessaire de contr???ler le d???veloppement des couches minces. Diverses analyses ont ???t??? effectu???es, telles que: XRD, SEM, EDS, AFM, spectrophotom???trie et TSC. Toutes ces analyses nous ont permis d'am???liorer les propri???t???s physiques des films minces de SnS pour les cellules solaires. Dans ce contexte, nous avons ???labor??? des films minces de sulfure d'???tain utilis???s comme mat???riau absorbant dans les dispositifs photovolta???ques. Pour cela, diff???rents dopages tels que le fer, l'argent et le gallium ainsi qu'un recuit en atmosph???re contr???l???e ont ???t??? r???alis???s afin d'augmenter la conductivit??? de ces films minces. Le dopage a ???t??? effectu??? pendant le processus de croissance en ajoutant une concentration relative de solutions aqueuses contenant des ions Fe2+, Ag2+ et Ga2+. Les propri???t???s physiques ont ???t??? ???tudi???es par XRD, AFM, SEM et TSC. Il a ???t??? constat??? ult???rieurement que les films minces SnS dop???s n'entra???nent pas de diminution de la r???sistivit???. Ainsi, d'autres caract???risations physiques sont en cours afin d'optimiser les propri???t???s des films minces et en particulier la r???sistivit??? au moyen d'un traitement thermique appropri??? sous atmosph???re contr???l???e.
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