En este trabajo se llevan a cabo c???lculos ab-initio para estudiar la adsorci???n e incorporaci???n de ???tomos de cobre (Cu) en la superficie de Nitruro de Galio, (0001)GaN y en las capas m???s profundas de un slab de GaN, con la geometr???a 2???2. Se emplea el m???todo del seudopotencial-ondas planas dentro del marco de la teor???a del funcional de la densidad (DFT). Se describe la interacci???n electr???n-electr???n mediante la aproximaci???n de gradiente generalizado(GGA).
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En este trabajo se llevan a cabo c???lculos ab-initio para estudiar la adsorci???n e incorporaci???n de ???tomos de cobre (Cu) en la superficie de Nitruro de Galio, (0001)GaN y en las capas m???s profundas de un slab de GaN, con la geometr???a 2???2. Se emplea el m???todo del seudopotencial-ondas planas dentro del marco de la teor???a del funcional de la densidad (DFT). Se describe la interacci???n electr???n-electr???n mediante la aproximaci???n de gradiente generalizado(GGA).
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